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智能抗辐射芯片

智能抗辐射器件采用设计加固方法,在不改动标准CMOS代工工艺的前提下,利用电路结构和版图布局上的改进、优化,实现高可靠、低成本、抗辐射微处理器SoC芯片。相比传统的采用特殊工艺加固的方案,有效降低抗辐射芯片成本,同时提高抗辐射性能,适用于微小卫星处理器、核救援机器人等。

■ 工作频率>=50MHz
■ 工作温度:-55度到125度
■ 总剂量耐受>300KRad
■ 无单粒子闩锁,单粒子翻转率在地球同步轨道小于10-5次每天
■ 小卫星处理器:小卫星为节省成本,普遍采用非加固商业器件,据统计因器件辐射导致发射失败的高达40%。智能抗辐射器件能有效加强卫星防辐射能力,提高发射成功率。

■ 核救援机器人:传统核救援机器人采用厚铅板屏蔽辐射,自重过大、行动能力弱。智能抗辐射器件能有效提高系统防辐射能力;同时可减轻自重,提升整体性能。

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